- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IXTH(35,40)N30, IXTM40N30
IXTM40N30 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IXTH(35,40)N30, IXTM40N30 |
|---|---|
| حجم فایل | 691.285 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت IXTH(35,40)N30, IXTM40N30 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- Manufacturer: IXYS
- Series: GigaMOS™
- Packaging: Tube
- Part Status: Obsolete
- FET Type: N-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
- FET Feature: -
- Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Supplier Device Package: TO-204AE
- Package / Case: TO-204AE
- detail: N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
